Инвентаризация:2342

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 165W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 785 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 992

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

SICFET N-CH 1200V 72A TO247N

Инвентаризация: 584

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 446

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 391

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 526

Top