Инвентаризация:2606

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 118A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22.1mOhm @ 47A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 427W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 23.5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 172 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2884 pF @ 500 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


HIGH ACCURACY, HALL-EFFECT CURRE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Инвентаризация: 0

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Инвентаризация: 1493

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

Top