- Модель продукта ALD1103PBL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип монтажа Through Hole
- Конфигурация 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
- Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 500mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40mA, 16mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10pF @ 5V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 75Ohm @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 10µA
- Пакет устройств поставщика 14-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
Инвентаризация: 99
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 358
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 371
MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
Инвентаризация: 32
MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
Инвентаризация: 48
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Инвентаризация: 46
IC DUAL COMPL PAIR W/INV 14-DIP
Инвентаризация: 1605
MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP
Инвентаризация: 432
