- Модель продукта ALD1115PAL
- Бренд Advanced Linear Devices, Inc.
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1532
Технические детали
- Пакет/кейс 8-DIP (0.300", 7.62mm)
- Тип монтажа Through Hole
- Конфигурация N and P-Channel Complementary
- Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 500mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3pF @ 5V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1µA
- Пакет устройств поставщика 8-PDIP
Сопутствующие товары
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 558
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
Инвентаризация: 358
COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 3240
