Инвентаризация:1858

Технические детали

  • Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
  • Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 500mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3pF @ 5V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1µA
  • Пакет устройств поставщика 14-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 558

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Инвентаризация: 43

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 371

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 301

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Инвентаризация: 41

MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 32

Top