Инвентаризация:1871

Технические детали

  • Пакет/кейс 14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 4 N-Channel, Matched Pair
  • Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 500mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3pF @ 5V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1µA
  • Пакет устройств поставщика 14-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 358

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 301

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 85

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12SIP

Инвентаризация: 0

IC INVERTER 6CH 1-INP 14DIP

Инвентаризация: 4407

Top