Инвентаризация:1585

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 500mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3pF @ 5V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PDIP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 85

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Инвентаризация: 371

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Инвентаризация: 3471

MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Инвентаризация: 22

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

Инвентаризация: 46

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Инвентаризация: 20873

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

Инвентаризация: 12045

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2480

Top