Технические детали

• Пакет/кейс 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип монтажа Through Hole
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• Рабочая Температура 0°C ~ 70°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 500mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 10.6V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80mA
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 30pF @ 5V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14Ohm
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 20mV @ 20µA
• Пакет устройств поставщика 8-PDIP