Инвентаризация:1799

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 73A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 313W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 15mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2430 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 350

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 430

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top