Инвентаризация:1930

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 73A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 39mOhm @ 30A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 313W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 15mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2430 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

FAN AXIAL 92X25MM 12VDC WIRE

Инвентаризация: 102

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 299

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

Top