Инвентаризация:1850

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 87mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 160W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

Top