Технические детали

• Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 312mOhm @ 6.5A, 6V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 21W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 500µA
• Пакет устройств поставщика 8-PQFN (8x8)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 730 pF @ 400 V