Инвентаризация:1515

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 10A, 15V
  • Барьерный тип 2.4V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • 16 nC @ 5 V
  • 810 pF @ 200 V

Сопутствующие товары


SiC Power MOSFET 1200V 12A

Инвентаризация: 30

Top