Инвентаризация:1515

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 15V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 810 pF @ 200 V

Сопутствующие товары


SiC Power MOSFET 1200V 12A

Инвентаризация: 30

Top