Инвентаризация:1950

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 176W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 6.5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1473 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 1590

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 444

Top