Инвентаризация:1944

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 187W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 8mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1870 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF

Инвентаризация: 3796

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 796

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 410

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 450

Top