- Модель продукта AS2312
- Бренд Anbon Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:23936
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
- Материал феррулы 1.2W (Ta)
- Барьерный тип 1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-23
- Длина ремня 1.8V, 4.5V
- Шаг Количество ±10V
- 20 V
- 11.05 nC @ 4.5 V
- 888 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Инвентаризация: 23812
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Инвентаризация: 3000
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Инвентаризация: 5842
TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88/SC70-6
Инвентаризация: 50239
MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,
Инвентаризация: 11865
