Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 2 PNP (Dual)
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 500mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 50µA, 500µA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 1nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 225 @ 1mA, 5V
• Частота – переход 110MHz
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC