Инвентаризация:4228

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.7W (Ta), 56W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta), 40A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1574pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060B-8

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 7440

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50

Инвентаризация: 5000

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

Инвентаризация: 6598

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN

Инвентаризация: 25000

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 17561

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 4309

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Инвентаризация: 6000

MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT

Инвентаризация: 1678

MOSFET 2N-CH 60V 7A/30A 8DFN

Инвентаризация: 12314

Top