Инвентаризация:6500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 864pF @ 30V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Инвентаризация: 7440

MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN

Инвентаризация: 2728

Top