- Модель продукта IPG20N06S4L26ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:19061
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 33W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1430pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 17A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 10µA
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4