- Модель продукта G20N06D52
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 0
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 20A 8DFN
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:26500
Технические детали
- Пакет/кейс 8-DFN (4.9x5.75)
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 48W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1326pF @ 30V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 20A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-PowerTDFN