Инвентаризация:5809

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 34W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 735pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3

Инвентаризация: 629944

MOSFET 2N-CH 60V 20A PPAK SO8

Инвентаризация: 2891

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8

Инвентаризация: 7919

Top