- Модель продукта SQJ960EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5809
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 34W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 735pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20nC @ 10V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101