Технические детали

• Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Мощность - Макс. 350mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
• Частота – переход 230MHz, 180MHz
• Резистор — база (R1) 47kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 47kOhms
• Пакет устройств поставщика DFN1010B-6