Инвентаризация:1504

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Мощность - Макс. 2450W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 31000pF @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 182mA
  • Пакет устройств поставщика Module

Сопутствующие товары


SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

Инвентаризация: 1

SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE

Инвентаризация: 31

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 26

SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE

Инвентаризация: 6

SIC 2N-CH 1200V 291A MODULE

Инвентаризация: 8

SICFET N-CH 1200V 400A MODULE

Инвентаризация: 4

SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE

Инвентаризация: 7

SIC 2N-CH 1200V 630A

Инвентаризация: 0

Top