- Модель продукта BSM600D12P3G001
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1504
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Мощность - Макс. 2450W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 31000pF @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 182mA
- Пакет устройств поставщика Module