Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel
• Рабочая Температура 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 925W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 291A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 30000pF @ 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 145.6mA
• Пакет устройств поставщика Module