- Модель продукта BSM300D12P2E001
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC 2N-CH 1200V 300A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Мощность - Макс. 1875W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 300A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 35000pF @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 68mA
- Пакет устройств поставщика Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1200V 80A MODULE
Инвентаризация: 15
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Инвентаризация: 13
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Инвентаризация: 1
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 4
SIC 2N-CH 1200V 200A
Инвентаризация: 17
MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE
Инвентаризация: 8
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE
Инвентаризация: 59
