Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200A (Tj)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 20400pF @ 800V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 200A, 15V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 708nC @ 15V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 69mA