Инвентаризация:1505

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 105A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10300pF @ 800V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 15V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 324nC @ 15V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 35mA

Сопутствующие товары


SIC 2N-CH 1200V 113A SP3

Инвентаризация: 7

SIC 2N-CH 1200V 200A

Инвентаризация: 17

SIC 2N-CH 1200V

Инвентаризация: 10

SIC, MODULE, 11M, 1200V, 48 MM,

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE

Инвентаризация: 40

SIC 2N-CH 1200V 78A MODULE

Инвентаризация: 2

SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

Инвентаризация: 59

Top