Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 10mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 141A (Tj)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11000pF @ 1000V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 150A, 15V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 354nC @ 15V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 34mA
• Пакет устройств поставщика Module