Инвентаризация:1507

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 530A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 39600pF @ 800V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.55mOhm @ 530A, 15V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1362nC @ 4V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 140mA
  • Пакет устройств поставщика Module

Сопутствующие товары


SIC 2N-CH 1200V 600A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 567A MODULE

Инвентаризация: 4

SIC 2N-CH 1200V 105A MODULE

Инвентаризация: 5

SIC 1700V 320A MODULE

Инвентаризация: 0

MOSFET 2 N-CH 1200V MODULE

Инвентаризация: 8

MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

Инвентаризация: 51

SIC 2N-CH 1200V 417A

Инвентаризация: 0

Top