Технические детали

• Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Мощность - Макс. 150mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 2.5mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
• Частота – переход 250MHz
• Резистор — база (R1) 4.7kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 47kOhms
• Пакет устройств поставщика EMT6