Инвентаризация:2371

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 262W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 107 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1337 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 289

SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3

Инвентаризация: 38

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

Top