Инвентаризация:31991

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14.4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 6-WSON (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 454 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Инвентаризация: 40392

MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON

Инвентаризация: 41359

MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6208

MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON

Инвентаризация: 3703

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963

Инвентаризация: 40335

TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 34609

MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 5758

MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L

Инвентаризация: 119252

Top