Инвентаризация:42859

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 12A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 66W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.7V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSONP (3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1150 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

Инвентаризация: 8504

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

Инвентаризация: 52527

MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6208

MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON

Инвентаризация: 30491

Top