Инвентаризация:36109

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора NPN
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
  • Частота – переход 300MHz
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN0806-3
  • Оценка Automotive
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 435 mW
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333

Инвентаризация: 67056

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Инвентаризация: 19067

IC TRANSLATOR BIDIR 16UTQFN

Инвентаризация: 6648

TRANS PNP 60V 3A DFN2020D-3

Инвентаризация: 2935

Top