Инвентаризация:41892

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.9V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSONP (3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 998 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Инвентаризация: 532327

MOSFET N-CH 30V 22A 6SON

Инвентаризация: 24503

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Инвентаризация: 5058

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Инвентаризация: 19396

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Инвентаризация: 24065

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Инвентаризация: 4881

Top