Инвентаризация:26003

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 6-SON (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.1 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 468 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 22A 6SON

Инвентаризация: 6445

MOSFET N-CH 30V 15A/56A 8VSON

Инвентаризация: 5808

SENSOR HUMI/TEMP I2C 2% SMD

Инвентаризация: 36617

Top