Инвентаризация:5495

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 274A (Tj)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 88A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 219W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 130µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-53
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 116 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8402 pF @ 40 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET_(20V 40V)

Инвентаризация: 4457

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

Инвентаризация: 2230

Top