Инвентаризация:5957

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 175A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.44mOhm @ 88A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 219W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 130µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-53
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 169 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11310 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


TRENCH <= 40V

Инвентаризация: 4443

IAUC120N04S6N006ATMA1

Инвентаризация: 7540

MOSFET_(20V 40V)

Инвентаризация: 7108

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Инвентаризация: 2327

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 7686

MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN

Инвентаризация: 4504

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

Инвентаризация: 22500

Top