Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
• Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 253A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.43mOhm @ 50A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 194W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 330µA
• Пакет устройств поставщика 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 83 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5880 pF @ 40 V