Инвентаризация:3730

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 68A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 107W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 70µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1140 pF @ 40 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

Инвентаризация: 0

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Инвентаризация: 1690

SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8

Инвентаризация: 1464

MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

Инвентаризация: 1490

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

Инвентаризация: 15543

MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK

Инвентаризация: 23615

Top