- Модель продукта SISS32DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17043
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8S
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17.4A (Ta), 63A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8S
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1930 pF @ 40 V