- Модель продукта G080P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 0
- Описание MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 195A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 294W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Инвентаризация: 56
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Инвентаризация: 49790
MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Инвентаризация: 5802
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Инвентаризация: 1602
