- Модель продукта G030N06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1556
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 223A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 101 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11999 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 40V 222A TO-220
Инвентаризация: 105
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Инвентаризация: 66
MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Инвентаризация: 5303
