- Модель продукта GT013N04TI
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1566
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 220A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 90W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3986 pF @ 20 V