- Модель продукта GT110N06D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11496
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 69W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (4.9x5.75)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1202 pF @ 30 V