- Модель продукта G65P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 130W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
Сопутствующие товары
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Инвентаризация: 130
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 65
MOSFET P-CH 60V 60A TO-220
Инвентаризация: 3000
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
