- Модель продукта G300P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 12A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2736 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Инвентаризация: 37
N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,VTH0.5V~1.
Инвентаризация: 188
MOSFET N-CH 20V 30A TO-220
Инвентаризация: 5000
P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 129
MOSFET P-CH 60V 32A TO-220
Инвентаризация: 2000
MOSFET, P-CH, 40V,45A,TO-220
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
Инвентаризация: 15000
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Инвентаризация: 125
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Инвентаризация: 58000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
