- Модель продукта G400P06T
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 40mOhm @ 12A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2598 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Инвентаризация: 36906
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Инвентаризация: 11163
MOSFET, P-CH, 60V,40A,TO-220
Инвентаризация: 48
MOSFET P-CH 60V 40A TO-220
Инвентаризация: 4000
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Инвентаризация: 123
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Инвентаризация: 10000
P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 4854
MOSFET P-CH 60V 25A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 10000
P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5
Инвентаризация: 164
MOSFET P-CH 60V 25A TO-220
Инвентаризация: 3000
