Инвентаризация:11500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (4.9x5.75)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V

Сопутствующие товары


P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 129

MOSFET P-CH 60V 32A TO-220

Инвентаризация: 2000

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 1601

P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 23A TO-251

Инвентаризация: 3000

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

Инвентаризация: 10677

Top